下载以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法的技术资料

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本发明涉及以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法。本发明为利用压电材料作为一集成电路器件中的RBT中的一栅极介电层,以生成并感测高质量的更高频率的信号的方法及其器件。本发明的实施例包括形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于...
该专利属于格罗方德半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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