温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法。本发明为利用压电材料作为一集成电路器件中的RBT中的一栅极介电层，以生成并感测高质量的更高频率的信号的方法及其器件。本发明的实施例包括形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。