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一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成目标层，在目标层上形成均匀间隔的多个参考图案；在参考图案的侧表面上形成多个间隔物；在间隔物之间留有的空间中形成多个填充图案；通过在多个填充图案的一部分上执行第一表面处理，形成表面改性的填充图案；通...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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