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本发明提供了一种提高氧化镓材料导热性的方法，包括：在氧化镓衬底上外延单晶氧化镓薄膜；利用刻蚀工艺结合二维材料转移的方式将单晶氧化镓薄膜转移至热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底材料上，得到形成于上述衬底之上的单晶氧化镓材料。通过将...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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