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本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法，所述缺陷检测方法和耐久测试方法，通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除，可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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