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本发明涉及水平栅极环绕纳米线晶体管的底部隔离。一种形成GAAMOSFET的方法包括：提供具有源极区、漏极区和通道区的基板，该基板掺杂p型及n型掺杂物中的一个。设置蚀刻止挡‑电阱(ESEW)层于该基板上方，该ESEW层掺杂该p型及该n型掺杂物...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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