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本发明涉及接触SOI衬底，其提供一种集成电路。该集成电路包括：半导体块体衬底；埋置氧化物层，形成于该半导体块体衬底上；多个单元，各单元具有晶体管装置，形成于该埋置氧化物层上方；多条栅极电极线，穿过该多个单元并为该单元的该晶体管装置提供栅极电...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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