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本发明涉及双位3T高密度MTPROM阵列，其提供一种多次可编程存储器(MTPM)存储器单元及其操作方法。各MTPM位单元包括：第一FET晶体管与第二FET晶体管具有第一共同连接，且第二FET晶体管与第三FET晶体管具有第二共同连接，第一与第...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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