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本发明提供一种在硅衬底的单面具有镍膜的半导体器件，该半导体器件的镍膜相对于硅衬底的密合性高。本发明的半导体器件(1)包括：做进到硅衬底(10)的单面(10b)中的、含有V族元素作为杂质的杂质区域(12)；和在硅衬底(10)的单面(10b)上...
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