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本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；采用第...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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