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本发明提供一种MOS管导通电阻的测试结构及方法，设置与MOS管的漏极和源极连接的两个测试垫相对应的两个参考测试垫，这两个参考测试垫之间的连线的规格和长度与MOS管的源极、漏极连接两个测试垫所用的连线规格和总长度相同，从而可以将MOS管的源极...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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