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本公开内容的实施例涉及集成电路(IC)管芯。在实施例中，IC管芯可以包括半导体基板和设置在半导体基板之上的缓冲层。缓冲层可以具有形成在其中的多个开口。在实施例中，管芯还可以包括多个Ⅲ族氮化物结构。多个Ⅲ族氮化物结构中的个体Ⅲ族氮化物结构可以...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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