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本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏...
该专利属于松下知识产权经营株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下知识产权经营株式会社授权不得商用。

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