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本发明公开了一种区熔晶体的自动生长方法及系统，方法包括如下步骤：在自动扩肩生长阶段，当单晶的直径大于某层圆台形生长区间的下底面直径且小于上底面直径时，单晶所处的生长区间即为该层圆台形生长区间；单晶在所处的已配置生长参数的生长区间生长；其中，...该专利属于北京京运通科技股份有限公司;北京天能运通晶体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京京运通科技股份有限公司;北京天能运通晶体技术有限公司授权不得商用。