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本实用新型公开了一种通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件，其包括异质结构以及与异质结构配合的栅电极、源电极和漏电极，所述异质结构包括沟道层和势垒层，所述源电极和漏电极通过所述异质结构中的二维电子气电连接，所述势垒层为铝组分含量在20％以下的...
该专利属于苏州能屋电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能屋电子科技有限公司授权不得商用。

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