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本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p型掺杂氮化镓层。本发明还公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱L...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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