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本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种高雪崩耐量的超结DMOS器件。本发明提供一种高雪崩耐量的超结DMOS器件，在现有超结DMOS器件中，通过改变超结结构第一导电类型掺杂柱区的掺杂浓度来固定超结DMOS器件的雪崩击穿点，具体的为降...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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