温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种具有超结结构的SOI横向高压器件，其元胞结构包括衬底、衬底接触电极、埋氧层、厚SOI层、P型体区、厚介质层、N型重掺杂漏极区、超薄顶层硅、N型条区和P型条区、P型重掺杂体接触区和N型重掺杂源极区、栅氧化层、源极接触电极、多晶硅...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。