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本发明提供了一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，在所...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。