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本发明公开了一种基于高阻盖帽层的III族氮化物极化超结HEMT器件及制法，所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包...
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