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本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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