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本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管以耗尽型模式工作,所述第二晶体管以增强型模式工作,并且,所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由具有离子导电特性的固...该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管以耗尽型模式工作,所述第二晶体管以增强型模式工作,并且,所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由具有离子导电特性的固...