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一种半导体器件及其形成方法,其中半导体器件包括:基底,基底包括若干芯片区和位于相邻芯片区之间的切割区,若干芯片区包括若干第一类芯片区和若干第二类芯片区;位于各芯片区上的芯片主电路;位于各芯片区上的焊盘,各芯片区上的焊盘和芯片主电路相互分立;...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种半导体器件及其形成方法,其中半导体器件包括:基底,基底包括若干芯片区和位于相邻芯片区之间的切割区,若干芯片区包括若干第一类芯片区和若干第二类芯片区;位于各芯片区上的芯片主电路;位于各芯片区上的焊盘,各芯片区上的焊盘和芯片主电路相互分立;...