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本发明公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜的纳米外延过生长方法，包括：(1)采用MOCVD方法在Si衬底上生长AlN成核层；(2)采用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长GaN外延层；(3)在GaN薄膜层上沉积SiO2薄膜；(4)采...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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