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半导体存储装置及其动作方法制造方法及图纸
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文档序号:15879346
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本发明提供一种半导体存储装置及其动作方法,抑制了因浮动栅极耦合造成的影响而可靠性高。本发明的半导体存储装置包括:存储器阵列,形成有多个NAND串;行选择部件,选择存储器阵列的行;以及位线选择电路(200),选择所选择的行的偶数页面或奇数页面...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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