温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应的反相器，包括：第一与第二PMOS管以及一个NMOS管；其中：第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管的源极，第一PMOS管的源极接到VDD，第二PMOS管的漏极接NMOS管的漏极，NMOS管的源极接到GN...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。