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本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合...
该专利属于住友电工光电子器件创新株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电工光电子器件创新株式会社授权不得商用。

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