温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法,包括新型的芯片电极结构为层叠结构的铝合金电极,所述铝合金电极结构是依次层叠的Cr层、Al层、Ti层、Al层或Al合金层等成分的层状结构。所述铝合金电极的制备方法包括以下步骤:在...该专利属于珠海市一芯半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海市一芯半导体科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法,包括新型的芯片电极结构为层叠结构的铝合金电极,所述铝合金电极结构是依次层叠的Cr层、Al层、Ti层、Al层或Al合金层等成分的层状结构。所述铝合金电极的制备方法包括以下步骤:在...