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本发明公开了一种半导体功率器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体介质层内设有源、漏、栅以及从栅向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少一个漏极场板，与栅相邻的第...
该专利属于苏州远创达科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州远创达科技有限公司授权不得商用。

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