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用于绝缘体上硅的s接触制造技术
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下载用于绝缘体上硅的s接触的技术资料
文档序号:15866135
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公开了用于绝缘体上硅的s接触(s‑contact)。描述了用于使用电阻式结构改善防止电荷注入器件层中的系统、方法和装置。可以使用更简单的制造方法和更少的制造步骤来制作这样的电阻式结构,即s接触部。对于金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(...
该专利属于派瑞格恩半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过派瑞格恩半导体有限公司授权不得商用。
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