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本发明提供一种用于测试SRAM周期时间的电路及方法，包括连接SRAM的地址循环移位寄存器、数据循环移位寄存器以及控制循环移位寄存器，可利用各个循环移位寄存器中预先配置的初始值和后续输入的时钟脉冲信号，来直接产生下一个测试用的地址信号、数据信...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。