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本发明是关于一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚，该坩埚的坩埚体的侧壁采用低密度的石墨材料制成，使得坩埚和碳化硅生长组分源料吸附的杂质元素氮，随着生长腔内温度的升高，氮杂质逐渐解吸附，在坩埚内部形成较高的氮气分压，进而与坩埚外部环境形成一...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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