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本发明公开了一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、上表面与第一层金属底面相连且下表面在沟槽...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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