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高压晶体管制造技术
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文档序号:15846496
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本发明公开一种高压晶体管,包括基底、具有第一导电类型的第一基体区以及具有互补于第一导电类型的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区。第一基体区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区设置于基底中,且第一掺杂区设置于第一基体...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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