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制造用于集成电路装置的3D扇出结构的方法，包括：提供衬底载体，其具有相对的第一和第二表面，以及在第一和第二表面之间延伸的孔。将第一半导体片芯接合至衬底载体的第一表面，使得第一片芯覆盖衬底载体的孔。将封装剂和第二片芯沉积放置在衬底载体的孔内，...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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