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单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序制造技术
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文档序号:15846342
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本发明涉及一种单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序。可编程存储器(19)包含自锁存读取数据路径。感测放大器(28)感测位线处的电压电平,所述位线传送在其相关联的列中的所选择的存储器单元(32)的数据状态。耦合到所述感测放大器(28)的输出...
该专利属于德州仪器公司所有,仅供学习研究参考,未经过德州仪器公司授权不得商用。
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