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磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法技术
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文档序号:15824497
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本发明公开了磁性存储器件,该磁性存储器件包括磁隧道结图案,该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在第一自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层。第一自由层包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案,该第一自由磁性图案具有与隧道势垒层直接接触的第一表...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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