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本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有槽形结构的N型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(NLDMOS)。本发明采用了压应变氮化硅膜作为N型LDMOS的应力源，并在源区与沟道衬底重掺杂区之间和漂移区各设一个槽形结构，使得沟道内应力反转；实现...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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