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本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件的制造方法包括进行源区注入的步骤，所述进行源区注入的步骤中的源区光刻胶包括第一结构和第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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