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本发明的目的是通过设计一种基于双极性半导体的半浮栅场效应晶体管的器件结构方法，使器件具备一种非易失性可编程光电子存储器的新型功能，即通过调控施加在控制栅上的脉冲电压，实现器件在光电转化性能不同状态的存储和逻辑调控。一种非易失性可编程光电子存...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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