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一种鳍式半导体器件的形成方法，包括：提供包括电路区和存储区的衬底，电路区和存储区的衬底表面分别具有鳍部；在衬底表面形成隔离层，隔离层表面低于鳍部的顶部表面；在隔离层和鳍部表面形成介质层，存储区的介质层内具有横跨鳍部的第一沟槽，第一沟槽暴露出...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。