温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括：形成包括第二区域的衬底和凸出于所述衬底的第二鳍部；在第二鳍部上形成第二伪栅结构，包括伪栅氧化层和第二伪栅电极层；在第二伪栅结构侧壁表面形成侧壁层；对第二伪栅结构进行氧化处理；在衬底上形成介质层；去除...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。