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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的埋层；位于所述半导体衬底第一表面的第一部分上的第一外延层；位于所述第一外延层第一部分中的阱区；位于所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层包括与...
该专利属于矽力杰半导体技术(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽力杰半导体技术(杭州)有限公司授权不得商用。

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