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本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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