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本发明提供提了一种基于芯片内部导线熔断原理的PUF方案及其具体电路实现。选择芯片内部具有正温系数材质,在芯片内部形成M(M大于等于1)组电路连线,并在每组电路连线上选择N个位置(N大于等于2),将该N处位置刻意设计为比电路连线上其它位置处线...该专利属于成都为远信安电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都为远信安电子科技有限公司授权不得商用。
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