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本发明提供一种提高多晶硅平坦化均匀性的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离区域；在所述半导体衬底上形成栅极结构，并在所述隔离区域的上方形成虚拟栅极结构；形成覆盖多晶硅层，所述覆盖多晶硅层覆盖所述栅极结构及所述虚拟栅极结构，...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。