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本发明提供一种局部互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有隔离区域；在半导体衬底上形成栅极堆栈结构及第一硬掩膜层；在栅极堆栈结构及第一硬掩膜层两侧形成第一侧墙结构；去除需要形成局部互连的栅极堆栈结构两侧的第一侧墙结构；形...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。