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一种半导体器件的形成方法，在接触孔图形开口和沟槽图形开口对准较差的情况下，沿所述接触孔图形开口对平坦层进行第一刻蚀，直至暴露出所述掩膜层的表面；第一刻蚀后，沿所述接触孔图形开口对掩膜层和平坦层进行第二刻蚀，直至暴露出过渡氧化层的表面，第二刻...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。