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一种半导体结构的制造方法，包括：形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底，以及凸出于所述衬底的鳍部；对鳍部进行阈值电压调节掺杂工艺；在鳍部的顶部和侧壁表面形成离子阻挡层；对形成有离子阻挡层的鳍部进行退火工艺；形成横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部表...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。