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本发明公开了一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片及其制备方法。包括玻璃衬底、n型单晶硅元件主体、隔离层、保护层；n型单晶硅元件主体的外缘支撑在玻璃衬底的上方，n型单晶硅元件主体的中部为镂空结构，使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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