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具有多层结构的光电子器件制造技术
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文档序号:1581034
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光电子器件包括由氢硅氧烷和包含式(Ⅰ)的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物,见右化学式其中R↑[1]和R↑[2]独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、烯氧基、炔氧基、取代烯氧基、取代炔氧基、...
该专利属于通用电气公司所有,仅供学习研究参考,未经过通用电气公司授权不得商用。
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